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2025年集成电路布图设计专有权申请全流程指南——芯片设计知识产权保护指南
集成电路布图设计专有权是芯片设计知识产权保护的核心形式之一。根据 2025 年修订的《集成电路布图设计保护条例》,布图设计专有权的保护范围以登记的复制件和图样为准,独创性声明用于解释其创新部分。修订后的条例引入惩罚性赔偿制度,对故意侵权且情节严重的行为,权利人可主张最高五倍于实际损失的赔偿,并强化诉前证据保全措施,显著提升了侵权成本。

集成电路布图设计专有权是芯片设计知识产权保护的核心形式之一。根据 2025 年修订的《集成电路布图设计保护条例》,布图设计专有权的保护范围以登记的复制件和图样为准,独创性声明用于解释其创新部分。修订后的条例引入惩罚性赔偿制度,对故意侵权且情节严重的行为,权利人可主张最高五倍于实际损失的赔偿,并强化诉前证据保全措施,显著提升了侵权成本。


一、申请主体要求

申请人需满足以下条件之一:


中国主体:中国自然人、法人或其他组织创作的布图设计;

外国主体:外国人创作的布图设计首次在中国境内投入商业利用,或其所属国与中国签订保护协议;

合作创作:多个主体合作创作的布图设计,需共同申请或按合同约定申请。


二、申请条件

独创性要求:布图设计需为创作者独立创作,且在创作时不属于行业公认的常规设计。

商业利用条件:若布图设计已投入商业利用,需在首次商业利用后2年内提出申请;若未投入商业利用,需在创作完成后15年内申请


三、申请材料

1、核心文件:

布图设计登记申请表:需填写申请人信息、布图设计名称、创作完成日期、商业利用情况等。

复制件或图样:纸件需放大至生产集成电路的 20 倍以上,电子版本需包含完整信息并注明数据格式。

样品:若已投入商业利用,需提交 4 件含有该布图设计的集成电路样品,置于专用器具中并附表格。

保密信息处理:若申请包含保密信息(不超过总面积 50%),需单独提交保密图层的复制件或图样,并注明页码及总页数。


2、其他文件:

委托代理机构的需提交委托书。

若存在优先权,需提交优先权证明文件。


四、审查与登记流程

1、初步审查:

国家知识产权局对申请文件进行形式审查,若存在缺陷会发出补正通知书,申请人需在指定期限内补正。

审查周期通常为 6-8 个月,具体以实际公告时间为准。


2、登记与公告:

审查通过后,国家知识产权局予以登记并颁发证书,同时在官方网站公告。

布图设计专有权自申请日或首次商业利用日起保护 10 年,以较早者为准。


五、5大常见驳回原因及规避策略

1、图样不完整:需包含所有导电层及关键尺寸标注

2、独创性不足:建议在说明书中对比现有设计突出创新点

3、文件格式错误:TIFF格式需设置为300dpi分辨率

4、申请主体不符:境外申请人须委托国内代理机构

5、保密页遗漏:涉及商业秘密的图层需单独标记


需要申请集成电路布图设计专有权保护,可以联系凯东张工(189-2243-6484),制定差异化保护方案。

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